肖特基二极管的作用是什么_肖特基二极管的作用是什么

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立昂微获得发明专利授权:“一种肖特基势垒二极管及其制造方法”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示立昂微(605358)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种肖特基势垒二极管及其制造方法”,专利申请号为CN202411910085.7,授权日为2025年4月25日。专利摘要:本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法。该二极管的沟槽由上中下三...

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华微电子申请肖特基二极管制作方法专利,降低正向压降金融界 2024 年 7 月 16 日消息,天眼查知识产权信息显示,吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“肖特基二极管及其制作方法”,公开号 CN202410524936.8,申请日期为 2024 年 4 月。专利摘要显示,本申请提供一种肖特基二极管及其制作方法,涉及半导体技术领域。所述肖特基二极...

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深圳爱仕特取得结势垒肖特基二极管专利,有效提高反向击穿电压金融界2024年11月19日消息,国家知识产权局信息显示,深圳爱仕特科技有限公司取得一项名为“种结势垒肖特基二极管”的专利,授权公告号 CN 222015414 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本实用新型涉及涉及半导体技术领域,特别涉及一种结势垒肖特基二极管,包括外延层、...

...取得 GaN 肖特基二极管相关专利,有效提高了 GaN 肖特基二极管的性能相邻 P‑GaN 柱之间填充有 NiO 层;所述阳极的一部分与所述 P‑GaN 柱和 NiO 层肖特基接触。本发明对 GaN 肖特基二极管的结构和材料进行优化,利用 NiO 的弱 p 型半导体性能,降低了正向开启电压;同时利用 p‑GaN 柱对二维电子气的强耗尽作用,保证了器件具有高的反向耐压,有效...

新洁能取得高耐压碳化硅肖特基二极管专利,大幅增加器件的击穿电压,...金融界2024年5月10日消息,据国家知识产权局公告,无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法“,授权公告号CN109037356B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,本发明属于半导体器件的制造技术领域,涉及一种高耐压的碳化硅肖特基...

韦尔股份申请沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管专利,...金融界2024年5月4日消息,据国家知识产权局公告,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“,公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法,采用第一氧化硅...

韦尔股份申请新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管专利...金融界2024年5月4日消息,据国家知识产权局公告,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“,公开号CN117976536A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽...

北京星英联微波科技取得基于混频肖特基二极管的全周期检波器专利金融界2024年10月23日消息,国家知识产权局信息显示,北京星英联微波科技有限责任公司取得一项名为“基于混频肖特基二极管的全周期检波器”的专利,授权公告号 CN 109725204 B,申请日期为2019年2月。

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苏州艾镁特取得具有高抗压性能的肖特基二极管专利,提高其反向抗击...金融界2024年11月14日消息,国家知识产权局信息显示,苏州艾镁特电子有限公司取得一项名为“一种具有高抗压性能的肖特基二极管”的专利,授权公告号 CN 221994476 U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种具有高抗压性能的肖特基二极管,包括半导体本体,...

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济南新芯微电子取得碳化硅肖特基二极管钝化模组和 GPP 工艺专利金融界 2024 年 9 月 30 日消息,国家知识产权局信息显示,济南新芯微电子有限公司取得一项名为“种碳化硅肖特基二极管钝化模组和 gpp 工艺”的专利,授权公告号 CN 118315444 B,申请日期为 2024 年 4 月。