什么叫二极管_什么叫二极管

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上海冀旅取得二极管检测装置专利,提高管体分类效率金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,上海冀旅电子科技有限公司取得一项名为“一种二极管检测装置”的专利,授权公告号 CN 222077317 U,申请日期为 2024 年 4 月。专利摘要显示,本实用新型涉及半导体检测技术领域,具体为一种二极管检测装置,包括机体以及管体,机...

江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法等专利,提高 LED ...金融界 2024 年 12 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、LED”的专利,公开号 CN 119050222 A,申请日期为 2024 年 10 月。专利摘要显示,本发明涉及光电技术领域,公开了一种发光二极管外延片及其制备方法...

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歌尔视显申请微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置专利,所...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,青岛歌尔视显科技有限公司申请一项名为“微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置”的专利,公开号CN 119050216 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置...

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华引芯申请车规级发光二极管芯片专利,降低生产制造成本金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,华引芯(张家港)半导体有限公司、华引芯(武汉)科技有限公司申请一项名为“一种车规级发光二极管芯片及其制备方法”的专利,公开号CN 119050221 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本申请提供一种车规级发光二极管芯片...

o(?""?o 扬杰电子申请内置混合型体二极管的 SiC MOSFET 及制备方法专利,...金融界 2024 年 12 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFET 及制备方法”的专利,公开号 CN 119050148 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFE 及制备...

盐城矽润半导体取得二极管晶圆划片机构专利,便于对其划片刀进行...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,盐城矽润半导体有限公司取得一项名为“一种二极管晶圆划片机构”的专利,授权公告号CN 222071879 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种二极管晶圆划片机构,包括工作台,所述工作台的一侧通过第一移...

ˋ▽ˊ 深圳基本半导体申请碳化硅基混合二极管专利,解决传统MPS因欧姆...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,深圳基本半导体有限公司申请一项名为“碳化硅基混合二极管及其制备方法”的专利,公开号 CN 119050161 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明属于芯片技术领域,公开了一种碳化硅混合二极管及其制备方法,该制备方法...

深圳市力晶光电取得具有引脚保护的二极管专利,避免引脚在运输中因...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市力晶光电有限公司取得一项名为“一种具有引脚保护的二极管”的专利,授权公告号CN 222071924 U,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本实用新型提供一种具有引脚保护的二极管,涉及二极管技术领域,包括二极管本体,所...

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江苏第三代半导体研究院申请具有全包式DBR结构的微型发光二极管及...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN 119050219 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种具有全包式DBR结构的微型发光二...

╯０╰ 上海积塔半导体申请接触孔相关专利,减小了快恢复二极管内的反向电流金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“接触孔的形成方法、快恢复二极管及其形成方法”的专利,公开号 CN 119050049 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明涉及一种接触孔的形成方法、快恢复二极管及其形成方法。所...